淨值破票面 DRAM轉型求生

(中央社記者張建中新竹 4日電)產品價格不斷破底，台灣上市櫃DRAM廠上半年全部面臨虧損窘境，每股淨值並已全數跌破新台幣10元大關。DRAM廠紛紛展開轉型，尋求營運新契機。

儘管近年來全球動態隨機存取記憶體(DRAM)廠已無新廠開出，僅藉由製程技術推進增加產出，只是企業換機潮需求不如預期，終端市場需求疲弱不振，仍使市場供過於求情況未見好轉，產品價格不斷滑落。

根據集邦科技調查，今年上半年市場主流的DDR3 2Gb顆粒合約均價自2.09美元，滑落至1.94美元，跌幅約7%；DDR3 2Gb顆粒現貨均價更自1.85美元，滑落至1.48美元，跌幅高達2成。

受產品價格下跌衝擊，包括力晶、南科、華亞科及茂德等上半年全數面臨虧損窘境；其中，茂德因與簽證會計師就資產評價方式無法達成共識，第2季財報難產。

其餘南科上半年稅後淨損達新台幣169.34億元，虧損金額最大，每股虧損達4.2元；華亞科虧損79.53億元，居次，每股虧損1.71元；力晶也虧損64.75億元，每股虧損1.17元。

南科、華亞科及力晶等3家DRAM廠上半年合計虧損達313.64億元。

在虧損情況未見改善下，南科、華亞科及力晶等淨值不斷滑落，每股淨值已全數跌破10元大關；其中，華亞科每股淨值滑落至9.78元，力晶與南科每股淨值更是同步跌破5元關卡，分別滑落至4.75元及3.9元。

南科、華亞科及力晶等財務結構也更形惡化；其中，南科負債總金額突破1000億元大關，達1131.18億元，負債比率最高，達87.76%。

力晶負債總金額雖降至798.25億元，不過，負債比率則攀高至74.95%；華亞科負債總金額達929.05億元，負債比率也達67.16%。

南科、華亞科及力晶等3家DRAM廠合計負債總金額高達2858.48億元。

反觀近年淡出標準型DRAM市場的華邦電，在轉進編碼型快閃記憶體(NOR Flash)及利基型記憶體市場效益顯現下，已連續7季維持獲利狀態，上半年稅後淨利3.87億元，每股純益約0.11元。

華邦電負債總金額降至249.45億元，負債比率僅約40.03%，營運體質持續改善。

展望未來，在市場供過於求情況依然嚴重下，DRAM價格進一步破底，DDR3 2G顆粒合約均價已滑落至1.19美元，下半年來跌幅高達38.6%；DDR3 2Gb顆粒現貨均價更一度達0.95美元，跌幅也高達35.8%。

集邦科技預期，明年第2季DRAM產品價格才可望反彈。由此看來，DRAM市場依然險峻，DRAM廠唯有轉型，朝產品多元化發展，才得以開創營運新契機。

力晶、南科及華亞科等DRAM廠也有深刻體認，同步降低標準型DRAM產品比重，以減緩DRAM市場波動劇烈衝擊，追求穩定獲利。1000904