21 123
發新話題

[原創] 常用電腦硬件技術術語!

常用電腦硬件技術術語!

第一章 CPU術語
3DNow!: (3D no waiting)AMD公司開發的SIMD指令集,可以增強浮點和多媒體運算的速度,它的指令數為21條。
  
    ALU: (Arithmetic Logic Unit,算術邏輯單元)在處理器之中用於計算的那一部分,與其同級的有數據傳輸單元和分支單元。
  
    BGA:(Ball Grid Array,球狀矩陣排列)一種芯片封裝形式,例:82443BX。
  
    BHT: (branch prediction table,分支預測表)處理器用於決定分支行動方向的數值表。
  
    BPU:(Branch Processing Unit,分支處理單元)CPU中用來做分支處理的那一個區域。
  
    Brach Pediction: (分支預測)從P5時代開始的一種先進的數據處理方法,由CPU來判斷程序分支的進行方向,能夠更快運算速度。
  
    CMOS: (Complementary Metal Oxide Semiconductor,互補金屬氧化物半導體)它是一類特殊的芯片,最常見的用途是主板的BIOS(Basic Input/Output System,基本輸入/輸出系統)。
  
    CISC: (Complex Instruction Set Computing,複雜指令集計算機)相對於RISC而言,它的指令位數較長,所以稱為複雜指令。如:x86指令長度為87位。  
    COB: (Cache on board,板上集成緩存)在處理器卡上集成的緩存,通常指的是二級緩存,例:奔騰II
  
    COD: (Cache on Die,芯片內集成緩存)在處理器芯片內部集成的緩存,通常指的是二級緩存,例:PGA賽揚370
  
    CPGA: (Ceramic Pin Grid Array,陶瓷針型柵格陣列)一種芯片封裝形式。
  
    CPU: (Center Processing Unit,中央處理器)計算機系統的大腦,用於控制和管理整個機器的運作,並執行計算任務。
  
    Data Forwarding: (數據前送)CPU在一個時鐘週期內,把一個單元的輸出值內容拷貝到另一個單元的輸入值中。
  
    Decode: (指令解碼)由於X86指令的長度不一致,必須用一個單元進行「翻譯」,真正的內核按翻譯後要求來工作。
  
    EC: (Embedded Controller,嵌入式控制器)在一組特定系統中,新增到固定位置,完成一定任務的控制裝置就稱為嵌入式控制器?  
    Embedded Chips: (嵌入式)一種特殊用途的CPU,通常放在非計算機系統,如:家用電器。
  
    EPIC: (explicitly parallel instruction code,並行指令代碼)英特爾的64位芯片架構,本身不能執行x86指令,但能通過譯碼器來兼容舊有的x86指令,只是運算速度比真正的32位芯片有所下降。
  
    FADD: (Floationg Point Addition,浮點加)FCPGA(Flip Chip Pin Grid Array,反轉芯片針腳柵格陣列)一種芯片封裝形式,例:奔騰III 370。
  
    FDIV: (Floationg Point Divide,浮點除)FEMMS(Fast Entry/Exit Multimedia State,快速進入/ 退出多媒體狀態)  在多能奔騰之中,MMX和浮點單元是不能同時運行的。新的芯片加快了兩者之間的切換,這就是FEMMS。
  
    FFT: (fast Fourier transform,快速熱歐姆轉換)一種複雜的算法,可以測試CPU的浮點能力。
  
    FID: (FID:Frequency identify,頻率鑒別號碼)奔騰III通過ID號來檢查CPU頻率的方法,能夠有效防止Remark。
  
    FIFO: (First Input First Output,先入先出隊列)這是一種傳統的按序執行方法,先進入的指令先完成並引退,跟著才執行第二條指令。
  
    FLOP: (Floating Point Operations Per Second,浮點操作/秒)計算CPU浮點能力的一個單位。
  
    FMUL: (Floationg Point Multiplication,浮點乘)
  
    FPU: (Float Point Unit,浮點運算單元)FPU是專用於浮點運算的處理器,以前的FPU是一種單獨芯片,在486之後,英特爾把FPU與集成在CPU之內。
  
    FSUB: (Floationg Point Subtraction,浮點減)
  
    HL-PBGA: (表面黏著、高耐熱、輕薄型塑膠球狀矩陣封裝)一種芯片封裝形式。
  
    IA: (Intel Architecture,英特爾架構)英特爾公司開發的x86芯片結構。
  
    ID: (identify,鑒別號碼)用於判斷不同芯片的識別代碼。
  
    IMM: (Intel Mobile Module,英特爾移動模塊)英特爾開發用於筆記本電腦的處理器模塊,集成了CPU和其它控制設備。
  
    Instructions Cache: (指令緩存)由於系統主內存的速度較慢,當CPU讀取指令的時候,會導致CPU停下來等待內存傳輸的情況。指令緩存就是在主內存與CPU之間增加一個快速的存儲區域,即使CPU未要求到指令,主內存也會自動把指令預先送到指令緩存,當CPU要求到指令時,可以直接從指令緩存中讀出,無須再存取主內存,減少了CPU的等待時間。
  
    Instruction Coloring: (指令分類)一種製造預測執行指令的技術,一旦預測判斷被相應的指令決定以後,處理器就會相同的指令處理同類的判斷。
  
    Instruction Issue: (指令發送)它是第一個CPU管道,用於接收內存送到的指令,並把它發到執行單元。IPC(Instructions Per Clock Cycle,指令/時鐘週期)表示在一個時鐘週期用可以完成的指令數目。
  
    KNI:(Katmai New Instructions,Katmai新指令集,即SSE) Latency(潛伏期)從字面上瞭解其含義是比較困難的,實際上,它表示完全執行一個指令所需的時鐘週期,潛伏期越少越好。嚴格來說,潛伏期包括一個指令從接收到發送的全過程。現今的大多數x86指令都需要約5個時鐘週期,但這些週期之中有部分是與其它指令交迭在一起的(並行處理),因此CPU製造商宣傳的潛伏期要比實際的時間長。
  
    LDT: (Lightning Data Transport,閃電數據傳輸總線)K8採用的新型數據總線,外頻在200MHz以上。
  
    MMX: (MultiMedia Extensions,多媒體擴展指令集)英特爾開發的最早期SIMD指令集,可以增強浮點和多媒體運算的速度。
  
    MFLOPS: (Million Floationg Point/Second,每秒百萬個浮點操作)計算CPU浮點能力的一個單位,以百萬條指令為基準。
  
    NI: (Non-Intel,非英特爾架構)除了英特爾之外,還有許多其它生產兼容x86體系的廠商,由於專利權的問題,它們的產品和英特爾系不一樣,但仍然能運行x86指令。
  
    OLGA: (Organic Land Grid Array,基板柵格陣列)一種芯片封裝形式。
  
    OoO: (Out of Order,亂序執行)Post-RISC芯片的特性之一,能夠不按照程序提供的順序完成計算任務,是一種加快處理器運算速度的架構。
  
    PGA: (Pin-Grid Array,引腳網格陣列)一種芯片封裝形式,缺點是耗電量大。
  
    Post-RISC: 一種新型的處理器架構,它的內核是RISC,而外圍是CISC,結合了兩種架構的優點,擁有預測執行、處理器重命名
等先進特性,如:Athlon。
  
    PSN: (Processor Serial numbers,處理器序列號)標識處理器特性的一組號碼,包括主頻、生產日期、生產編號等。
  
    PIB: (Processor In a Box,盒裝處理器)CPU廠商正式在市面上發售的產品,通常要比OEM(Original Equipment Manufacturer,原始設備製造商)廠商流通到市場的散裝芯片貴,但只有PIB擁有廠商正式的保修權利。
  
    PPGA: (Plastic Pin Grid Array,塑膠針狀矩陣封裝)一種芯片封裝形式,缺點是耗電量大。
  
    PQFP: (Plastic Quad Flat Package,塑料方塊平面封裝)一種芯片封裝形式。
  
    RAW: (Read after Write,寫後讀)這是CPU亂序執行造成的錯誤,即在必要條件未成立之前,已經先寫下結論,導致最終結果出錯。
  
    Register Contention: (搶佔寄存器)當寄存器的上一個寫回任務未完成時,另一個指令徵用此寄存器時出現的衝突。
  
    Register Pressure: (寄存器不足)軟件算法執行時所需的寄存器數目受到限制。對於X86處理器來說,寄存器不足已經成為了它的最大特點,因此AMD才想在下一代芯片K8之中,增加寄存器的數量。
  
    Register Renaming: (寄存器重命名)把一個指令的輸出值重新定位到一個任意的內部寄存器。在x86架構中,這類情況是常常出現的,如:一個fld或fxch或mov指令需要同一個目標寄存器時,就要動用到寄存器重命名。
  
    Remark: (芯片頻率重標識)芯片製造商為了方便自己的產品定級,把大部分CPU都設置為可以自由調節倍頻和外頻,它在同一批CPU中選出好的定為較高的一級,性能不足的定位較低的一級,這些都在工廠內部完成,是合法的頻率定位方法。但出廠以後,經銷商把低檔的CPU超頻後,貼上新的標籤,當成高檔CPU賣的非法頻率定位則稱為Remark。因為生產商有權力改變自己的產品,而經銷商這樣做就是侵犯版權,不要以為只有軟件才有版權,硬件也有版權呢。
  
    Resource contention: (資源衝突)當一個指令需要寄存器或管道時,它們被其它指令所用,處理器不能即時作出回應,這就是資源衝突。
  
    Retirement: (指令引退)當處理器執行過一條指令後,自動把它從調度進程中去掉。如果僅是指令完成,但仍留在調度進程中,亦不算是指令引退。
  
    RISC: (Reduced Instruction Set Computing,精簡指令集計算機)一種指令長度較短的計算機,其運行速度比CISC要快。
  
    SEC: (Single Edge Connector,單邊連接器)一種處理器的模塊,如:奔騰II。
  
    SIMD: (Single Instruction Multiple Data,單指令多數據流)能夠複製多個操作,並把它們打包在大型寄存器的一組指令集,例:3DNow!、SSE。
  
    SiO2F: (Fluorided Silicon Oxide,二氧氟化硅)製造電子元件才需要用到的材料。
  
    SOI: (Silicon on insulator,絕緣體硅片)SONC(System on a chip,系統集成芯片)在一個處理器中集成多種功能,如:Cyrix MediaGX。
  
    SPEC: (System Performance Evaluation Corporation,系統性能評估測試)測試系統總體性能的Benchmark。
  
    Speculative execution: (預測執行)一個用於執行未明指令流的區域。當分支指令發出之後,傳統處理器在未收到正確的反饋信息之前,是不能做任何工作的,而具有預測執行能力的新型處理器,可以估計即將執行的指令,採用預先計算的方法來加快整個處理過程。
  
    SQRT: (Square Root Calculations,平方根計算)一種複雜的運算,可以考驗CPU的浮點能力。
  
    SSE: (Streaming SIMD Extensions,單一指令多數據流擴展)英特爾開發的第二代SIMD指令集,有70條指令,可以增強浮點和多媒體運算?  

    Superscalar: (超標量體系結構)在同一時鐘週期可以執行多條指令流的處理器架構。
  
    TCP: (Tape Carrier Package,薄膜封裝)一種芯片封裝形式,特點是發熱小。
  
    Throughput: (吞吐量)它包括兩種含義:
  
      第一種:執行一條指令所需的最少時鐘週期數,越少越好。執行的速度越快,下一條指令和它搶佔資源的機率也越少。
  
      第二種:在一定時間內可以執行最多指令數,當然是越大越好。
  
    TLBs: (Translate Look side Buffers,翻譯旁視緩衝器)用於存儲指令和輸入/輸出數值的區域。
  
    VALU: (Vector Arithmetic Logic Unit,向量算術邏輯單元)在處理器中用於向量運算的部分。
  
    VLIW: (Very Long Instruction Word,超長指令字)一種非常長的指令組合,它把許多條指令連在一起,增加了運算的速度。
  
    VPU: (Vector Permutate Unit,向量排列單元)在處理器中用於排列數據的部分。


[ 本帖最後由 ga032794 於 2008-2-26 10:37 編輯 ]

本帖最近評分記錄
  • ga032794 經驗 +5 感謝大大分享精品內容!! 2007-5-28 14:22
  • ga032794 金幣 +10 感謝大大分享精品內容!! 2007-5-28 14:22

TOP

第二章 主板篇
芯片組:芯片組是主板的靈魂,它決定了主板所能夠支持的功能。目前市面上常見的芯片組有Intel、VIA、SiS、Ali、AMD等幾家公司的產品。其中,Intel公司的主流產品有440BX、i820、i815/815E等。VIA公司主要有VIA Apollo Pro 133/133A、KT 133等芯片組。SiS公司主要是SiS 630芯片組。Ali公司主要有Ali Aladdin TNT2芯片組、AMD則有AMD 750芯片組。其中,除了Intel公司的i820、i815/815E芯片組以外,所有的芯片組都是由兩塊芯片構成:靠近CPU的那一塊叫做北橋芯片,主要負責控制CPU、內存和顯示功能;靠近PCI插槽的那一塊叫做南橋,主要負責控制輸入輸出(如對硬盤的UDMA/66/200模式的支持),軟音效等。而Intel公司的i820、i815/815E芯片組採用了新的結構,由三塊芯片構成。分別是MCH(memory controller hub,功能類似於北橋)、ICH(I/O controller hub,功能類似於南橋)、FWH(Fireware hub,功能類似於BIOS芯片)。由於新的芯片組使用專門的總線(一般稱為加速集線器結構AHA,Acclerated hub Architecture)來連接主板的各設備,而不是像原來那樣使用PCI總線進行數據傳輸,因此在多設備工作時有比較大的效能提高。
 
    CPU接口:由於市場上主流的CPU大多是Intel和AMD兩家公司的產品,所以主板上常見的也只有Socket 370(支持Intel新賽揚和coppermine「銅礦」處理器),Slot 1(支持Intel賽揚和老PIII處理器,也可以加轉接卡支持Socket 370處理器),Slot A(支持AMD Athlon處理器),Socket A(支持AMD新Athlon和Duron處理器)等幾種接口。不同的接口之間不能通用(只有SLOT 1接口可以加轉接卡支持Socket 370處理器)。大家購買時要認清。
  
    新型實用型技術:
     a.軟跳線技術:所謂跳線,就是一組通斷開關,通過對通、斷的不同組合,來達到調整CPU頻率或者實現一些其他功能(如調整電壓)的目的。以前的跳線一般是由一組金屬針腳或撥指開關組成。自從升技公司的經典軟跳線技術Softmenu出現以後,有不少的廠商也加入這項功能,即可以在BIOS中直接設定CPU頻率和電壓等。但由於前段時間CIH等病毒對BIOS破壞比較嚴重,所以一些公司還是保留了硬跳線(如DIP開關)等功能。
  
    b.新的BIOS升級技術:以前的BIOS升級被視為「高手」的專利。因此其有一定的風險,所以普通用戶不敢輕易涉足。但是一些廠商開發了一些特殊的BIOS升級功能,使得BIOS升級再不會像以前那樣危險和神秘了。 比如微星新的815主板就可以在Internet上直接升級,只要你連上網絡,系統將自動檢測你的BIOS版本,如果發現你所使用的產品有新的BIOS文件,將會自動下載並更新,大大減少了用戶的操作。使BIOS更加簡單。
  
    c.節能功能:目前的節能功能主要有STD和STR兩種。STD(Suspend to Disk),掛起到硬盤,是指系統在深度休眠時,將目前的資料保存在硬盤上,當再次開機時可以省去重啟的時間,目前STD技術已屬於淘汰的類型,更新的是STR技術。STR(Suspend to Ram),掛起到內存,即當系統深度休眠時將資料保存在內存中,重啟到原來的狀態只需要3秒左右。目前的較新的主板(如815主板)都支持此技術。
  
    d.異步內存調整技術: 在VIA的芯片組VIA Apollo Pro 133/133A和KT 133等中,有一項內存和外頻異步運行的功能。就是在標準外頻下(如66MHz或100MHz等),可以將內存運行的頻率比外頻低33MHz或高33MHz。這項技術極大地方便了一些老用戶,這樣就可以使用將比較新的內存和比較老的CPU(或比較老的內存和比較新的CPU)進行合理搭配,充分發揮其功能。但要注意的是,如果在非標準外頻下(如83MHz),那麼內存運行的頻率將不會按照這個規律增加,具體的增加值會因具體情況有所不同。
  
    e.擴展槽分頻技術: 每一個類型的總線都有自己額定的運行頻率,如果超過太多,就可能使設備運行不正常。比如PCI設備的額定頻率是33MHz,AGP設備的額定頻率是66MHz。當外頻運行在100MHz時,PCI設備就需要工作在外頻的三分之一才能保證設備正常運行(如聲卡等設備),這就是通常所說的三分頻;如果一旦外頻在1333MHz上,PCI設備就需要四分頻了。如果外頻再往上升,即使是四分頻,也會比標準頻率高出不少,而且AGP設備通常只支持二分頻,所以在高外頻下(如150MHz),如果PCI設備(聲卡)或AGP設備(顯卡)質量不好,將嚴整影響整個系統的超頻性能。目前PCI總線只支持四分頻,而AGP總線只支持二分頻。
  
    安全保護技術:由於目前病毒的危害很大,因此一些安全保護技術也必不可少。比如在對BIOS的保護上,就採取了多種形式。最簡單的就是在BIOS旁加上寫保護跳線,以避免病毒侵害;還有就是使用雙BIOS,即使一個被破壞了也有另一個可以工作,如技嘉就採用了這種技術;再有即使一些廠商自己開發的集成幾種技術的產品,如聯想的「無敵鎖」,「宙斯盾」等,其原理也是避免病毒侵害BIOS。 主板診斷技術也是一項比較實用的技術。如微星的D-LED技術,就是將故障用四個燈亮的顏色來表示。如顯卡故障用兩個紅燈表示,而內存故障用三個紅燈表示等。這樣可以幫助一些初學者判斷故障的所在,以便對症下藥。而碩泰克開發的語音提示技術將語音芯片固化在主板上,可以將故障直接「說」出來(用機箱小喇叭發聲),更是滿足一些追新族的喜好。
  
    新型接口:AGP Pro接口:隨著顯卡處理功能的強大,其能量消耗也越來越高,傳統的AGP插槽已經不能滿足需要。而AGP Pro插槽比普通AGP插槽長一些,增加了一些接地線,使得信號更加穩定,在大電流的干擾下,這樣可以提高數據傳輸的準確性,使顯卡更加穩定地工作。 CNR插槽:(communication and networking riser)是出現在新的i815E芯片組上的新插槽。它支持以太網卡和MODEM,功能有點類似於AMR插槽,但是更強大。
  


ACPI電源接口:是Pentium以上主板特有的一種新功能。作用是在管理電腦內部各種部件時盡量做到節省能源。 SMP對稱多處理模式: 它的特點是當插入兩個CPU同時工作時,就支持交替運行方式好提高CPU的工作效率。但兩個CPU的特性一定要完全一致。
  
    AGP插槽:(Accelerated-Graphics-Port:加速圖形端口)它是一種為緩解視頻帶寬緊張而制定的總線結構。它將顯示卡與主板的芯片組直接相連,進行點對點傳輸。但是它並不是正規總線,因它只能和AGP顯卡相連,故不具通用和擴展性。其工作的頻率為66MHz,是PCI總線的一倍,並且可為視頻設備提供528MB/S的數據傳輸率。所以實際上就是PCI的超集。
  
    AMD-640芯片組:該芯片組是AMD公司的產品。它的一些特性為:支持所有的Pentium級CPU,特別優化AMD-K6-CPU;能真正發揮66MHZ以上的SDRAM高速性能;還具有遙控喚醒功能;而且內部帶有USB接口控制器等;但它不支持AGP。
  
    ASUS插槽:是華碩公司在其生產的主板上別出新裁的一個設計。其結構是在PCI插槽後又增加了一個短槽,以配合華碩自己生產的配套聲卡使用。
  
    ATX板型:它的佈局是\"橫\"板設計,就像把Baby-AT板型放倒了過來,這樣做增加了主板引出端口的空間,使主板可以集成更多的擴展功能。
  
    ATX電源: ATX電源是ATX主板配套的電源,為此對它增加了一些新作用;一是增加了在關機狀態下能提供一組微電流(5V/100MA)供電。二是增加有3.3V低電壓輸出。
  
    Baby-AT板型:也就是\"豎\"型板設計,即短邊位於機箱後面板,這樣就使主板上各種引出端口的空間很小,不利於插接各種引線及外設。

TOP

    BIOS:BIOS(Basic-Input-&-Output-System:基本輸入/輸出系統)是事先固化在主板的一個專用EPROM芯片中的一組特殊的管理程序。主板就是通過這個管理程序來實現各個部件之間的控制和協調的。
  
    CMOS:CMOS是電腦主板上的一塊可讀寫的RAM芯片,用它來保護當前系統的硬件配置和用戶對某些參數的設定。現在的廠商們把CMOS程序做到了BIOS芯片中,當開機時就可按特定鍵進入CMOS設置程序對系統進行設置。所以又被人們叫做BIOS設置。
  
    COM端口:一塊主板一般帶有兩個COM串行端口。通常用於連接鼠標及通訊設備(如連接外置式MODEM進行數據通訊)等。
   Concurrent PCI: 並發PCI總線技術,它實際是PCI的一種增強型結構。用於提高CPU與PCI、CPU與內存之間並處理能力,是INTEL最先在440FX中投入使用的。
  
    DIMM:(Dual-Inline-Menory-Modules)是一種新型的168線的內存插槽。它要比SIMM插槽要長一些,可以插下容量不超過64MB的單條SDRAM。並且它也支持新型的168線EDO-DRAM存儲器。
  
    EIDE:EIDE(Enhanced IDE:增強性IDE)是Pentium以上主板必備的標準接口。主板上通常可提供兩個EIDE接口。在Pentium以上主板中,EDIE都集成在主板中。
  
    EISA總線:EISA(Extended Industy Standard Architecture:擴展工業標準結構)是EISA集團為配合32位CPU而設計的總線擴展標準。它吸收了IBM微通道總線的精華,並且兼容ISA總線。但現今已被淘汰。
  
    FLASH:FLASH(FLASH-MEMORY:快擦型存儲器)它是Pentium以上主板用來存儲BIOS程序的。
  
    I/O芯片:在486以上檔次的主板,板上都有I/O控制電路。它負責提供串行、並行接口及軟盤驅動器控制接口。
  
    IDE:IDE(Integrated Device Electronics):一種磁盤驅動器的接口類型,也稱為ATA接口。最多可連接兩個IDE接口設備,允許最大硬盤容量528兆,控制線和數據線合用一根40芯的扁平電纜與硬盤接口卡連接。數據傳輸率為3.3Mbps-8.33Mbps。
  
    ISA總線:(Industry Standard Architecture:工業標準體系結構)是IBM公司為PC/AT電腦而制定的總線標準,為16位體系結構,只能支持16位的I/O設備,數據傳輸率大約是8MB/S。也稱為AT標準。
  
    MVP3芯片組:它是VIA公司繼VP3之後推出的最新產品。它支持100MHz總線頻率。主板內存最大可擴展到1GB,支持ECC功能,CACHE最大可支持2MB。
  
    PCI總線:PCI(Peripheral Component Interconnect:外部設備互連)是由SIG集團推出的總線結構。它具有132 MB/S的數據傳輸率及很強的帶負載能力,可適用於多種硬件平台,同時兼容ISA、EISA總線。
  
    POST:POST(Power-On-Self-Test:上電自檢)是BIOS功能的一個主要部分。它負責完成對CPU、主板、內存、軟硬盤子系統、顯示子系統(包括顯示緩存)、串並行接口、鍵盤、CD-ROM光驅等的檢測。
  
    PS/2鼠標接口:現今的一些流行的Pentium主板多採用PS/2做鼠標接口,而放棄常用的串行接口做鼠標接口。這樣做的好處是:既可以節省一個常規串行接口,又可以使鼠標得到更快的響應速度。
  
    SCSI:SCSI(Small Computer System Interface:小型電腦系統界面)它可以驅動至少6個(SCSI-3標準擴充後達32個)外部設備;並且它的數據傳輸率可達到40Mbps、SCSI-3更可高達80Mbps。
  
    SIMM:(Single-In-line-Menory-Modules)是我們經常用到的一種內存插槽,它是72線結構。如今的內存模塊大部分是把若干個內存芯片集成在一小塊電路板上。
  
    VL局部總線:(Local Bus:局部總線)是VESA組織設計的一種開放性總線結構。它的寬度是32位,工作頻率是33MHz,數據傳輸率為132MB/S。但是它的定義標準不嚴格,兼容性不好,並且帶負載能力相對來說比較低,所以已經被PCI代替。
  
    VP3芯片組:它是VIA公司於1997年第四季度推出的最新產品。它是用於Socket 7結構的主板。它的主要性能指標為:支持所有的Pentium級CPU,CPU的最高頻率可到300MHz,支持第二代SDRAM內存;最大可擴展到1GB。
  
    電池:Pentium級主板多數用的是鋰電池,只有少數用全封閉結構式電池。它是用來保持主板CMOS數據的。
  
    免跳線主板:它是指CPU的主頻、工作電壓及主板總線工作頻率設置均不使用常規的跳線進行設置,而是通過Setup(系統BIOS)進行\"軟\"設置。
    
    內存: 內存實質上是一或多組的集成電路,具備數據的輸入輸出和數據存儲的功能。因其存儲信息的功能各不相同,所以分為只讀、可改寫的只讀和隨機存儲器。
  
    芯片組:(Chipset)是構成主板電路的核心。一定意義上講,它決定了主板的級別和檔次。它就是\"南橋\"和\"北橋\"的統稱,就是把以前複雜的電路和元件最大限度地集成在幾顆芯片內的芯片組。

TOP

第三章 顯卡篇
                EDO DRAM (Extended Data Out DRAM):擴展數據輸出DRAM。對DRAM的訪問模式進行一些改進,縮短內存有效訪問的時間。
  
    VRAM (Video DRAM):視頻RAM。這是專門為了圖形應用優化的雙端口存儲器(可同時與RAMDAC以及CPU進行數據交換),能有效地防止在訪問其他類型的內存時發生的衝突。
  
    WRAM (WINDOWS RAM):增強型VRRAM,性能比VRAM提高20%,可加速常用的如傳輸和模式填充等視頻功能。
  
    SDRAM (Synchronous DRAM):同步DRAM。它與系統總線同步工作,避免了在系統總線對異步DRAM進行操作時同步所需的額外等待時間,可加快數據的傳輸速度。
  
    SGRAM (Synchronous Graphics DRAM):同步圖形RAM,增強型SDROM。它支持寫掩碼和塊寫。寫掩碼能夠減少或消除對內存的讀-修改-寫的操作;塊寫有利於前景或背景的填充。SGRAM大大地加快了顯存與總線之間的數據交換。(如:麗台S680、Banshee)
  
    MDRAM (Multibank DRAM):多段DRAM。MDRAM可劃分為多個獨立的有效區段,減少了每個進程在進行顯示刷新、視頻輸出或圖形加速時的時間損耗。
  
    RDRAM (Rambus DRAM):主要用於特別高速的突發操作,訪問頻率高達500MHz,而傳統內存只能以50MHz或75MHz進行訪問。RDRAM的16 Bit 帶寬可達 1.6Gbps(EDO的極限帶寬是533Mbps),32Bit帶寬更是高達4 Gbps。
  
    二、3D顯卡的基本3D功能:
  
   1. Alpha Blending: ALPHA混合。ALPHA是3D紋理元素顏色特性中的特殊通道,利用它可對紋理(Texture)圖像進行顏色混合,產生透明效果。
   2. Billinear Filternig: 雙線過濾。一種紋理映射技術,能夠減少在紋理縮放時由於色彩分配不均而產生的塊狀圖。
   3. Dithering:抖動。這是變化顏色像素(Pixel)的排列以得到一種新顏色的過程。
   4. Flat Shading:一種基本的繪製技術,用它繪製的每個三角形內部都使用同種顏色。
   5. Fogging:霧化。將某種顏色與背景混合從而隱藏背景以達到霧狀效果。
   6. Gouraud Shading:用三角形頂點的顏色來進行插值(Interpolation)得到三角形內部每個點顏色。
   7. Mipmap:MIP映射。它可以在內存中保存不同分辨率和尺寸的紋理圖形,當3D對像移動時允許紋理光滑變化。
   8. Perspective Correction:透視修正。在不同的角度和距離都能更真實地反映在3D場景中進行紋理光滑變化。
   9. Point Sampled:點抽樣。一種簡單的紋理映射技術,用最近的紋理元素來決定當前點的顏色。
   10. Texture Mapping:紋理映射。在3D物體上貼上位圖(Bitmap)或圖像,使物體具有真實感。
   11. Transparency:透明。
   12. Z-BUFFER:它是用來存放場景象素深度的顯存區。
   13. Gamma Correction:伽瑪糾正。為了補償由於顯示器偏差而導致的圖形失真,伽瑪糾正就對圖形進行亮度糾正。
  
    三、3D顯卡的三大API
  
    API(Application Progam Interface 應用程序接口):是3D應用程序和3D顯卡進行通訊的軟件接口。
  
      1.Direct 3D: 它是MICROSOFT的Direct X中的中間接口界面。在某些3D功能無法由硬件實現時,Direct 3D可以用軟件仿真大多數3D功能,提高3D圖形顯示速度,它的動畫特徵質量相當高,非常適用於遊戲開發。
      2.Heidi(也叫Quick Draw 3D):它是一個純粹的立即模式窗口,主要適用於應用開發,Heidi靈活多變,能夠處理非常複雜的幾何圖形,擴展能力強,支持交互式渲染,最主要的是它得到了Autodesk的大力支持(Autodesk 就是著名的AUTOCAD和3D SUTDIO、3DMAX生產廠家)
      3.OpenGL(開放式三維圖形庫)是由SGI公司所開發的(SGI一間生產非PC圖形工作站的公司,包括其軟件Waterfull alias maya,其知名度相當於PC界的Intel)。OpenGL是一個獨立平台,具有可移植性。它能夠快速繪製2D和3D對象,在分佈式環境中協同工作,是大型科學和工程進行高複雜3D圖形設計的標準應用程序接口。
  
    16-、 24-和32-位色:16位色能在顯示器中顯示出65,536種不同的顏色,24位色能顯示出1670萬種顏色,而對於32位色所不同的是,它只是技術上的一種概念,它真正的顯示色彩數也只是同24位色一樣,只有1670萬種顏色。對於處理器來說,處理32位色的圖形圖像要比處理24位色的負載更高,工作量更大,而且用戶也需要更大的內來存運行在32位色模式下。
  
    2D卡:沒有3D加速引擎的普通顯示卡。
  
    3D卡:有3D圖形芯片的顯示卡。它的硬件功能能夠完成三維圖像的處理工作,為CPU減輕了工作負擔。通常一款3D加速卡也包含2D加速功能,但是還有個別的顯示卡只具有3D圖像加速能力,比如Voodoo2。
  
    Accelerated Graphics Port (AGP)高速圖形加速接口:AGP是一種PC總線體系,它的出現是為了彌補PCI的一些不足。AGP比PCI有更高的工作頻率,這就意味著它有更高的傳輸速度。AGP可以用系統的內存來當作材質緩存,而在PCI的3D顯卡中,材質只能被儲存在顯示卡的顯存中。

Alpha Blending(透明混合處理):它是用來使物體產生透明感的技術,比如透過水、玻璃等物理看到的模糊透明的景象。以前的軟件透明處理是給所有透明物體賦予一樣的透明參數,這顯然很不真實;如今的硬件透明混合處理又給像素在紅綠藍以外又增加了一個數值來專門儲存物體的透明度。高級的3D芯片應該至少支持256級的透明度,所有的物體(無論是水還是金屬)都由透明度的數值,只有高低之分。

TOP

    Anisotropic Filtering (各向異性過濾):(請先參看二線性過濾和三線性過濾)各向異性過濾是最新型的過濾方法,它需要對映射點周圍方形8個或更多的像素進行取樣,獲得平均值後映射到像素點上。對於許多3D加速卡來說,採用8個以上像素取樣的各向異性過濾幾乎是不可能的,因為它比三線性過濾需要更多的像素填充率。但是對於3D遊戲來說,各向異性過濾則是很重要的一個功能,因為它可以使畫面更加逼真,自然處理起來也比三線性過濾會更慢。
  
    Anti-aliasing(邊緣柔化或抗鋸齒):由於3D圖像中的物體邊緣總會或多或少的呈現三角形的鋸齒,而抗鋸齒就是使畫面平滑自然,提高畫質以使之柔和的一種方法。如今最新的全屏抗鋸齒(Full Scene Anti-Aliasing)可以有效的消除多邊形結合處(特別是較小的多邊形間組合中)的錯位現象,降低了圖像的失真度。全景抗鋸齒在進行處理時,須對圖像附近的像素進行2-4次採樣,以達到不同級別的抗鋸齒效果。3dfx在驅動中會加入對2x2或4x4抗鋸齒效果的選擇,根據串聯芯片的不同,雙芯片Voodoo5將能提供2x2的抗鋸齒效果,而四芯片的卡則能提供更高的4x4抗鋸齒級別。簡而言之,就是將圖像邊緣及其兩側的像素顏色進行混合,然後用新生成的具有混合特性的點來替換原來位置上的點以達到柔化物體外形、消除鋸齒的效果。
  
    API(Application Programming Interface)應用程序接口:API是存在於3D程序和3D顯示卡之間的接口,它使軟件運行與硬件之上。為了使用3D加速功能,就必須使用顯示卡支持的API來編寫程序,比如Glide, Direct3D或是OpenGL。
  
    Bi-linear Filtering(二線性過濾):是一個最基本的3D技術,現在幾乎所有的3D加速卡和遊戲都支持這種過濾效果。當一個紋理由小變大時就會不可避免的出現「馬賽克」現象,而過濾能有效的解決這一問題,它是通過在原材質中對不同像素間利用差值算法的柔化處理來平滑圖像的。其工作是以目標紋理的像素點為中心,對該點附近的4個像素顏色值求平均,然後再將這個平均顏色值貼至目標圖像素的位置上。通過使用雙線性過濾,雖然不同像素間的過渡更加圓滑,但經過雙線性處理後的圖像會顯得有些模糊Environment Mapped Bump Mapping(環境映射凹凸貼圖):真實世界中的物體表面都是不光滑的,所以需要通過凹凸模擬技術來體現真實物體所具有的凹凸起伏和褶皺效果。傳統的3D顯卡多採用浮雕(Emboss)效果來近似實現凸凹映射,這種浮雕效果的逼真度有限,難以顯示細微的稜角處的反光效果和在複雜的多環境光源中的效果,更無法表現水波和氣流等特殊流體的效果。而環境映射凸凹貼圖是在標準表面紋理上再映射一層紋理,紋理的內容相同但位置相錯,錯位深度由深度信息和光源位置決定,再根據表現對象的不同,將下層紋理進一步處理為上層紋理的陰影或底面,這樣就逼真地模擬出了真實物體表面的凸凹褶皺效果。
  

                Gouraud Shading(高氏渲染):這是目前較為流行的著色方法,它為多邊形上的每一個點提供連續色盤,即渲染時每個多邊形可使用無限種顏色。它渲染的物體具有極為豐富的顏色和平滑的變色效果。
  
    Mip-mapping(Mip映射):Mip-mapping的核心特徵是根據物體的景深方向位置發生變化時,Mip映射根據不同的遠近來貼上不同大小的材質貼圖,比如近處貼512x512的大材質,而在遠端物體貼上較小的貼圖。這樣不僅可以產生更好的視覺效果,同時也節約了系統資源。
  
    Phong Shading(補色渲染):這是目前最好、最複雜的著色方法,效果也要優於Gouraud Shading。它的優勢在於對「鏡面反光」的處理,通過對模型上每一個點都賦予投射光線的總強度值,因此能實現極高的表面亮度,以達到「鏡面反光」的效果。
  
    S3TL(Transform and lighting)(「變形與光源」技術):該技術類似於nVidia最新的T&L技術,它可以大大減輕CPU的3D管道的幾何運算過程。「變形與光源」引擎可用於將來的OpenGL和DirectX 7圖形接口上,使遊戲中的多邊形生成率提高到4到10倍。這極大的減輕了軟件的複雜性,也使CPU的運算負擔得到極大的降低,因此對於CPU浮點速度較慢的系統來說,在此技術的支持下也能有較高速度的圖形處理能力。
  
    S3TC(S3 Texture Compression)/DXTC/FXT1:S3TC是S3公司提出的一種紋理壓縮格式,其目的是通過對紋理的壓縮,以達到節約系統帶寬並提高效能的目的。S3TC就是通過壓縮方式,利用有限的紋理緩存空間來存儲更多的紋理,因為它支持6:1的壓縮比例,所以6M的紋理可以被壓縮為1M存放在材質緩存中,從而在節約了緩存的同時也提高了顯示性能。
  
    DXTC和FXT1都是與S3TC類似的技術,它們分別是微軟和3dfx開發的紋理壓縮標準,DXTC雖然在Direct 6中就提供了支持,但至今也沒有得到遊戲的支持,而FXT1能提供比S3TC更高的壓縮比,達到8:1,同時它也將在3dfx新版本的Glide中得到支持。
  
    T&L(Transform and Lighting)變形與光源處理:這是nVidia為提高畫質而研究出來的一種新型技術,以往的顯卡技術中,為了使物體圖像真實,就不得不大量增加多邊形設計,這樣就會導致速度下降,而採用較少的多邊形呢,畫面又很粗糙。GeForce256中採用的這種T&L技術其特點是能在不增加物體多邊形的前提下,進一步提高物體表面的邊緣圓滑程度,使圖像更真實準確生動。此外光源的作用也得到了重視:傳統的光源處理較為單一,無生動感可言,而GeForce256擁有強大的光源處理能力,在硬件上它支持8個獨立光源,加上GPU的支持,即時處理的光源將讓畫面變得更加生動真實,可以產生帶有反射性質的光源效果。
  
    Trilinear Filtering(三線性過濾):三線性過濾就是用來減輕或消除不同組合等級紋理過渡時出現的組合交疊現象。它必須結合雙線性過濾和組合式處理映射一併使用。三線性過濾通過使用雙線性過濾從兩個最為相近的LOD等級紋理中取樣來獲得新的像素值,從而使兩個不同深度等級的紋理過渡能夠更為平滑。也因為如此,三線性過濾必須使用兩次的雙線性過濾,也就是必須計算2x4=8個像素的值。對於許多3D加速開來說,這會需要它們兩個時鐘週期的計算時間。
  
    W-Buffer:W-Buffer的作用與Z-Buffer類似,但它的作用範圍更小、精度更高。它可以將不同物體和同一物體部分間的位置關係進行更加細緻的處理。
  
    Z-Buffer:這是一項處理3D物體深度信息的技術,它對不同物體和同一物體不同部分的當前Z坐標進行紀錄,在進行著色時,對那些在其他物體背後的結構進行消隱,使它們不被顯示出來。Z Bufer所用的位數越高,則代表它能夠提供的景深值就越精確。現在圖形芯片大多支持24bit Z-Buffer而加上8bit的模板Buffer後合稱為32bit Z-Buffer。
  
    顯示內存:與主板上的內存功能一樣,顯存是也是用於存放數據的,只不過它存放的是顯示芯片處理後的數據。
  
     3D顯示卡的顯存較一般顯示卡的顯存不同之處在於:3D顯示卡上還有專門存放紋理數據或Z-Buffer數據的顯存,例如帶有6M顯存的VooDoo Ⅰ顯示卡,其中的2M顯存就是用於上述用途。由於3D的應用越來越廣泛,以及大分辨率、高色深圖形處理的需要,對顯存速度的要求也越來越快,從早期的DRAM,過渡到EDO-DRAM,一直到現在經常見到的SDRAM和SGRAM,速度越來越快,性能越來越高。圖四的顯存是SGRAM,注意它的四邊都有引線的,很好區別;圖五的顯存是EDO-DRAM,與SDRAM一樣採用了兩邊引線。區分EDO-DRAM和SDRAM可以看該顯存上的編號,一般標有「08」、「10」、「12」等字樣的多數是SDRAM,標有「80」、「70」、「60」、「-6」、「-7」等字樣的多半是EDO-DRAM。除了上述3種常見的顯存外,還有更專業的顯存如VRAM(雙端口視頻內存)、WRAM(窗口內存)、RDRAM、CacheRAM等,多用在圖形處理工作站上。顯存的大小不固定,從單條256K、512K、1M到單條2M都有,因此不能僅看顯存芯片的個數來猜測顯示卡上有多大顯存容量。很多老的顯示卡上還有一些空插座用來擴充顯存(如右圖,插座上已經插上了顯存),我們在擴充時要注意與顯示卡上已有的顯存速度配套,例如原顯存是80ns,新擴充的顯存也要是80ns的,這樣在擴充後才能少出故障。
  
    BIOS:又稱「VGA BIOS」,主要用於存放顯示芯片與驅動程序之間的控制程序,另外還存放有顯示卡型號、規格、生產廠家、出廠時間等信息。打開計算機時,通過顯示BIOS內一段控制程序,將這些信息反饋到屏幕上。圖六是3塊不同顯示卡上的顯示BIOS,可見外形不盡相同。早期顯示BIOS是固化在ROM中的,不可以修改,而現在的多數顯示卡則採用了大容量的EPROM,即所謂的「Flash -BIOS」,可以通過專用的程序進行改寫升級。別小看這一功能,很多顯示卡就是通過不斷推出升級的驅動程序來修改原程序中的錯誤、適應新的規範、提升顯示卡的性能的。對用戶而言,軟件提升性能的做法深得人心。
  
    總線接口:顯示卡要插在主板上才能與主板互相交換數據。與主板連接的接口主要ISA、EISA、VESA、PCI、AGP等幾種。ISA和EISA總線帶寬窄、速度慢,VESA總線擴展能力差,這三種總線已經被市場淘汰。現在常見的是PCI和AGP接口。PCI接口是一種總線接口,以1/2或1/3的系統總線頻率工作(通常為33MHz),如果要在處理圖像數據的同時處理其它數據,那麼流經PCI總線的全部數據就必須分別地進行處理,這樣勢必存在數據滯留現象,在數據量大時,PCI總線就顯得很緊張。AGP接口是為了解決這個問題而設計的,它是一種專用的顯示接口(就是說,可以在主板的PCI插槽中插上聲卡、顯示卡、視頻捕捉卡等板卡,卻不能在主板的AGP插槽中插上除了AGP顯示卡以外的任何板卡),具有獨佔總線的特點,只有圖像數據才能通過AGP端口。另外AGP使用了更高的總線頻率(66MHz),這樣極大地提高了數據傳輸率。
  
    目前的顯示卡接口的發展趨勢是AGP接口。要留意的是,AGP技術分AGP1×和AGP2×,後者的最大理論數據傳輸率是前者的2倍,今年將會出現支持AGP4×的顯示卡(例如Savage4),它的最大理論數據傳輸率將達到1056MB/s。區分AGP接口和PCI接口很容易,前者的引線上下寬度錯開,俗稱「金手指」,後者的引線上下一般齊。
  
    VGA插座:它是一個有15個插孔的插座,外型有點像大寫的「D」(防止插反了)。與聲卡上的MIDI連接器不同的是,VGA插座的插孔分3排設置,每排5個孔,MIDI連接器有9個孔,2排設置,比前者長一點,扁一點。VGA插座是顯示卡的輸出接口,與顯示器的D形插頭相連,用於模擬信號的輸出。
  
    特性連接器:是顯示卡與視頻設備交換數據的通道,通常是34針,也有26針的。它的作用不大,早期用於連接MPEG硬解壓卡作為信息傳送的通道。
  
    其它部件:晶體振蕩器:不銹鋼外殼,比較顯眼。其作用是產生固定的振蕩頻率使顯示卡各部件 的運作有個參考的基準。
  
    S端子:部分顯示卡通過它完成向電視機(或監視器)輸出的功能,5個插孔呈半圓分佈,與電視機上的S端子完全相同。
  
    貼片電阻:中、高檔顯示卡由於工作頻率很高,採用了無引線的貼片電阻以減少干擾。它們是構成顯示卡電氣線路的一部分。

TOP

第四章 內存篇
                BANK:BANK是指內存插槽的計算單位(也有人稱為記憶庫),它是計算機系統與內存間資料匯流的基本運作單位。
  
    內存的速度:內存的速度是以每筆CPU與內存間數據處理耗費的時間來計算,為總線循環(bus cycle)以奈秒(ns)為單位。
  
    內存模塊 (Memory Module):提到內存模塊是指一個印刷電路板表面上有鑲嵌數個記憶體芯片chips,而這內存芯片通常是DRAM芯片,但近來系統設計也有使用快取隱藏式芯片鑲嵌在內存模塊上內存模塊是安裝在PC 的主機板上的專用插槽(Slot)上鑲嵌在Module上DRAM芯片(chips)的數量和個別芯片(chips)的容量,是決定內存模塊的設計的主要因素。
  
    SIMM (Single In-line Memory Module):電路板上面焊有數目不等的記憶IC,可分為以下2種型態:
  
      72PIN:72腳位的單面內存模塊是用來支持32位的數據處理量。
  
      30PIN:30腳位的單面內存模塊是用來支持8位的數據處理量。
  
    DIMM (Dual In-line Memory Module):(168PIN) 用來支持64位或是更寬的總線,而且只用3.3伏特的電壓,通常用在64位的桌上型計算機或是服務器。
  
    RIMM:RIMM模塊是下一世代的內存模塊主要規格之一,它是Intel公司於1999年推出芯片組所支持的內存模塊,其頻寬高達1.6Gbyte/sec。
  
    SO-DIMM (Small Outline Dual In-line Memory Module) (144PIN): 這是一種改良型的DIMM模塊,比一般的DIMM模塊來得小,應用於筆記型計算機、列表機、傳真機或是各種終端機等。
  
    PLL: 為鎖相回路,用來統一整合時脈訊號,使內存能正確的存取資料。
  
    Rambus 內存模塊 (184PIN): 採用Direct RDRAM的內存模塊,稱之為RIMM模塊,該模塊有184pin腳,資料的輸出方式為串行,與現行使用的DIMM模塊168pin,並列輸出的架構有很大的差異。
  
    6層板和4層板(6 layers V.S. 4 layers): 指的是電路印刷板PCB Printed Circuit Board用6層或4層的玻璃纖維做成,通常SDRAM會使用6層板,雖然會增加PCB的成本但卻可免除噪聲的干擾,而4層板雖可降低PCB的成本但效能較差。
  
    Register:是緩存器的意思,其功能是能夠在高速下達到同步的目的。
  
    SPD:為Serial Presence Detect 的縮寫,它是燒錄在EEPROM內的碼,以往開機時BIOS必須偵測memory,但有了SPD就不必再去作偵測的動作,而由BIOS直接讀取 SPD取得內存的相關資料。
  
    Parity和ECC的比較:同位檢查碼(parity check codes)被廣泛地使用在偵錯碼(error detection codes)上,他們增加一個檢查位給每個資料的字元(或字節),並且能夠偵測到一個字符中所有奇(偶)同位的錯誤,但Parity有一個缺點,當計算機查到某個Byte有錯誤時,並不能確定錯誤在哪一個位,也就無法修正錯誤。
  
    緩衝器和無緩衝器(Buffer V.S. Unbuffer):有緩衝器的DIMM 是用來改善時序(timing)問題的一種方法無緩衝器的DIMM雖然可被設計用於系統上,但它只能支援四條DIMM。若將無緩衝器的DIMM用於速度為100Mhz的主機板上的話,將會有存取不良的影響。而有緩衝器的DIMM則可使用四條以上的內存,但是若使用的緩衝器速度不夠快的話會影響其執行效果。換言之,有緩衝器的DIMM雖有速度變慢之虞,但它可以支持更多DIMM的使用。像
  
    自我充電 (Self-Refresh):DRAM內部具有獨立且內建的充電電路於一定時間內做自我充電, 通常用在筆記型計算機或可攜式計算機等的省電需求高的計算機。
  
    預充電時間 (CAS Latency):通常簡稱CL。例如CL=3,表示計算機系統自主存儲器讀取第一筆資料時,所需的準備時間為3個外部時脈 (System clock)。CL2與CL3的差異僅在第一次讀取資料所需準備時間,相差一個時脈,對整個系統的效能並無顯著影響。
  
    時鐘信號 (Clock):時鐘信號是提供給同步內存做訊號同步之用,同步記憶體的存取動作必需與時鐘信號同步。
  
    電子工程設計發展聯合會議 (JEDEC):JEDEC大部分是由從事設計、發明的製造業尤以有關計算機記憶模塊所組成的一個團體財團,一般工業所生產的記憶體產品大多以JEDEC所制定的標準為評量。
  
    只讀存儲器ROM (Read Only Memory):ROM是一種只能讀取而不能寫入資料之記燱體,因為這個特所以最常見的就是主機板上的 BIOS (基本輸入/輸出系統Basic Input/Output System)因為BISO是計算機開機必備的基本硬件設定用來與外圍做為低階通信接口,所以BISO之程式燒錄於ROM中以避免隨意被清除資料。

TOP

            EEPROM (Electrically Erasable Programmable ROM):為一種將資料寫入後即使在電源關閉的情況下,也可以保留一段相當長的時間,且寫入資料時不需要另外提高電壓,只要寫入某一些句柄,就可以把資料寫入內存中了。
  
    EPROM (Erasable Programmable ROM):為一種可以透過紫外線的照射將其內部的資料清除掉之後,再用燒錄器之類的設備將資料燒錄進 EPROM內,優點為可以重複的燒錄資料。
  
    程序規畫的只讀存儲器 (PROM):是一種可存程序的內存,因為只能寫一次資料,所以它一旦被寫入資料若有錯誤,是無法改變的且無法再存其它資料,所以只要寫錯資料這顆內存就無法回收重新使用。
  
    MASK ROM:是製造商為了要大量生產,事先製作一顆有原始數據的ROM或EPROM當作樣本,然後再大量生產與樣本一樣的 ROM,這一種做為大量生產的ROM樣本就是MASK ROM,而燒錄在MASK ROM中的資料永遠無法做修改。
  
    隨機存取內存RAM ( Random Access Memory):RAM是可被讀取和寫入的內存,我們在寫資料到RAM記憶體時也同時可從RAM讀取資料,這和ROM內存有所不同。但是RAM必須由穩定流暢的電力來保持它本身的穩定性,所以一旦把電源關閉則原先在RAM裡頭的資料將隨之消失。
  
    動態隨機存取內存 DRAM (Dynamic Random Access Memory):DRAM 是Dynamic Random Access Memory 的縮寫,通常是計算機內的主存儲器,它是而用電容來做儲存動作,但因電容本身有漏電問題,所以內存內的資料須持續地存取不然
  資料會不見。
  
FPM DRAM (Fast Page Mode DRAM):是改良的DRAM,大多數為72IPN或30PIN的模塊,FPM 將記憶體內部隔成許多頁數Pages,從512 bite 到數 Kilobytes 不等,它特色是不需等到重新讀取時,就可讀取各page內的資
  料。
  
    EDO DRAM (Extended Data Out DRAM):EDO的存取速度比傳統DRAM快10%左右,比FPM快12到30倍一般為72PIN、168PIN的模塊。
  
    SDRAM:Synchronous DRAM 是一種新的DRAM架構的技術;它運用晶片內的clock使輸入及輸出能同步進行。所謂clock同步是指記憶體時脈與CPU的時脈能同步存取資料。SDRAM節省執行指令及數據傳輸的時間,故可提升計算機效率。
  
    DDR:DDR 是一種更高速的同步內存,DDR SDRAM為168PIN的DIMM模塊,它比SDRAM的傳輸速率更快, DDR的設計是應用在服務器、工作站及數據傳輸等較高速需求之系統。
  
    DDRII (Double Data Rate Synchronous DRAM):DDRII 是DDR原有的SLDRAM聯盟於1999年解散後將既有的研發成果與DDR整合之後的未來新標準。DDRII的詳細規格目前尚未確定。
  
    DRDRAM (Direct Rambus DRAM):是下一代的主流內存標準之一,由Rambus 公司所設計發展出來,是將所有的接腳都連結到一個共同的Bus,這樣不但可以減少控制器的體積,已可以增加資料傳送的效率。
  
    RDRAM (Rambus DRAM):是由Rambus公司獨立設計完成,它的速度約一般DRAM的10倍以上,雖有這樣強的效能,但使用後內存控制器需要相當大的改變,所以目前這一類的內存大多使用在遊戲機器或者專業的圖形加速適配卡上。
  
    VRAM (Video RAM):與DRAM最大的不同在於其有兩組輸出及輸入口,所以可以同時一邊讀入,一邊輸出資料。
  
    WRAM (Window RAM):屬於VRAM的改良版,其不同之處在於其控制線路有一、二十組的輸入/輸出控制器,並採用EDO的資料存取模式。
  
    MDRAM (Multi-Bank RAM):MIDRAM 的內部分成數個各別不同的小儲存庫 (BANK),也就是數個屬立的小單位矩陣所構成。每個儲存庫之間以高於外部的資料速度相互連接,其應用於高速顯示卡或加速卡中。
  
    靜態隨機處理內存 SRAM (Static Random Access Memory):SRAM 是Static Random Access Memory 的縮寫,通常比一般的動態隨機處理內存處理速度更快更穩定。所謂靜態的意義是指內存資料可以常駐而不須隨時存取。因為此種特性,靜態隨機處理內存通常被用來做高速緩存。
  
    Async SRAM:為異步SRAM這是一種較為舊型的SRAM,通常被用於電腦上的 Level 2 Cache上,它在運作時獨立於計算機的系統時脈外。
  
    Sync SRAM:為同步SRAM,它的工作時脈與系統是同步的。
  
    SGRAM (Synchronous Graphics RAM):是由SDRAM再改良而成以區塊Block為單位,個別地取回或修改存取的資料,減少內存整體讀寫的次數增加繪圖控制器。
  
    高速緩存 (Cache Ram):為一種高速度的內存是被設計用來處理運作CPU。快取記憶體是利用 SRAM 的顆粒來做內存。因連接方式不同可分為一是外接方式(External)另一種為內接方式(Internal)。外接方式是將內存放在主機板上也稱為Level 1 Cache而內接方式是將內存放在CPU中稱為Level 2 Cache。
  
    PCMCIA (Personal Computer Memory Card International Association):是一種標準的卡片型擴充接口,多半用於筆記型計算機上或是其它外圍產品,其種類可以分為:
  
      Type 1:3.3mm的厚度,常作成SRAM、Flash RAM 的記憶卡以及最近打印機所使用的DRAM記憶卡。
      Type 2:5.5mm的厚度,通常設計為筆記計算機所使用的調製解調器接口(Modem)。
      Type 3:10.5mm的厚度,被運用為連接硬盤的ATA接口。
      Type 4:小型的PCMCIA卡,大部用於數字相機。
  
    FLASH:Flash內存比較像是一種儲存裝置,因為當電源關掉後儲存在Flash內存中的資料並不會流失掉,在寫入資料時必須先將原本的資料清除掉,然後才能再寫入新的資料,缺點為寫入資料的速度太慢。
  
    重新標示過的內存模塊(Remark Memory Module):在內存市場許多商家都會販售重新標示過的內存模塊,所謂重新標示過的內存模塊就是將芯片Chip上的標示變更過,使其所顯示出錯誤的訊息以提供商家賺取更多的利潤。一般說來,業者會標示成較快的速度將( -7改成-6)或將沒有廠牌的改為有廠牌的。要避免購買到這方面的產品,最佳的方法就是向好聲譽的供貨商來購買頂級芯片製造商產品。
  
    內存的充電 (Refresh):主存儲器是DRAM組合而成,其電容需不斷充電以保持資料的正確。一般有2K與4K Refresh的分類,而2K比4K有較快速的Refresh但2K比4K耗電。

TOP

第五章 硬盤篇
硬盤的轉速(Rotationl Speed): 也就是硬盤電機主軸的轉速,轉速是決定硬盤內部傳輸率的關鍵因素之一,它的快慢在很大程度上影響了硬盤的速度,同時轉速的快慢也是區分硬盤檔次的重要標誌之一。硬盤的主軸馬達帶動盤片高速旋轉,產生浮力使磁頭飄浮在盤片上方。要將所要存取資料的扇區帶到磁頭下方,轉速越快,等待時間也就越短。因此轉速在很大程度上決定了硬盤的速度。目前市場上常見的硬盤轉速一般有5400rpm、7200rpm、甚至10000rpm。理論上,轉速越快越好。因為較高的轉速可縮短硬盤的平均尋道時間和實際讀寫時間。可是轉速越快發熱量越大,不利於散熱。現在的主流硬盤轉速一般為7200rpm以上。 
  
    隨著硬盤容量的不斷增大,硬盤的轉速也在不斷提高。然而,轉速的提高也帶來了磨損加劇、溫度升高、噪聲增大等一系列負面影響。於是,應用在精密機械工業上的液態軸承馬達(Fluid dynamic bearing motors)便被引入到硬盤技術中。液態軸承馬達使用的是黏膜液油軸承,以油膜代替滾珠。這樣可以避免金屬面的直接磨擦,將噪聲及溫度被減至最低;同時油膜可有效吸收震動,使抗震能力得到提高;更可減少磨損,提高壽命。
  
    平均尋道時間(Average seek time):指硬盤在盤面上移動讀寫頭至指定磁道尋找相應目標數據所用的時間,它描述硬盤讀取數據的能力,單位為毫秒。當單碟片容量增大時,磁頭的尋道動作和移動距離減少,從而使平均尋道時間減少,加快硬盤速度。目前市場上主流硬盤的平均尋道時間一般在9ms以下,大於10ms的硬盤屬於較早的產品,一般不值得購買。 
  
    平均潛伏時間(Average latency time): 指當磁頭移動到數據所在的磁道後,然後等待所要的數據塊繼續轉動到磁頭下的時間,一般在2ms-6ms之間。
  
    平均訪問時間(Average access time): 指磁頭找到指定數據的平均時間,通常是平均尋道時間和平均潛伏時間之和。平均訪問時間最能夠代表硬盤找到某一數據所用的時間,越短的平均訪問時間越好,一般在11ms-18ms之間。注意:現在不少硬盤廣告之中所說的平均訪問時間大部分都是用平均尋道時間所代替的。 
  
    突發數據傳輸率(Burst data transfer rate):指的是電腦通過數據總線從硬盤內部緩存區中所讀取數據的最高速率。也叫外部數據傳輸率(External data transfer rate)。目前採用UDMA/66技術的硬盤的外部傳輸率已經達到了66.6MB/s。 
  
    最大內部數據傳輸率(Internal data transfer rate): 指磁頭至硬盤緩存間的最大數據傳輸率,一般取決於硬盤的盤片轉速和盤片數據線密度(指同一磁道上的數據間隔度)。也叫持續數據傳輸率(sustained transfer rate)。一般採用UDMA/66技術的硬盤的內部傳輸率也不過25-30MB/s,只有極少數產品超過30MB/s,由於內部數據傳輸率才是系統真正的瓶頸,因此大家在購買時要分清這兩個概念。不過一般來講,硬盤的轉速相同時,單碟容量大的內部傳輸率高;在單碟容量相同時,轉速高的硬盤的內部傳輸率高。
  
    自動檢測分析及報告技術(Self-Monitoring Analysis and Report Technology,簡稱S.M.A.R.T): 現在出廠的硬盤基本上都支持S.M.A.R.T技術。這種技術可以對硬盤的磁頭單元、盤片電機驅動系統、硬盤內部電路以及盤片表面媒介材料等進行監測,當S.M.A.R.T監測並分析出硬盤可能出現問題時會及時向用戶報警以避免電腦數據受到損失。S.M.A.R.T技術必須在主板支持的前提下才能發生作用,而且S.M.A.R.T技術也不能保證能預報出所有可能發生的硬盤故障。
  
    磁阻磁頭技術MR(Magneto-Resistive Head): MR(MAGNETO-RESITIVEHEAD)即磁阻磁頭的簡稱。MR技術可以更高的實際記錄密度、記錄數據,從而增加硬盤容量,提高數據吞吐率。目前的MR技術已有幾代產品。MAXTOR的鑽石三代/四代等均採用了最新的MR技術。磁阻磁頭的工作原理是基於磁阻效應來工作的,其核心是一小片金屬材料,其電阻隨磁場變化而變化,雖然其變化率不足2%,但因為磁阻元件連著一個非常靈敏的放大器,所以可測出該微小的電阻變化。MR技術可使硬盤容量提高40%以上。GMR(GiantMagnetoresistive)巨磁阻磁頭GMR磁頭與MR磁頭一樣,是利用特殊材料的電阻值隨磁場變化的原理來讀取盤片上的數據,但是GMR磁頭使用了磁阻效應更好的材料和多層薄膜結構,比MR磁頭更為敏感,相同的磁場變化能引起更大的電阻值變化,從而可以實現更高的存儲密度,現有的MR磁頭能夠達到的盤片密度為3Gbit-5Gbit/in2(千兆位每平方英吋),而GMR磁頭可以達到10Gbit-40Gbit/in2以上。目前GMR磁頭已經處於成熟推廣期,在今後的數年中,它將會逐步取代MR磁頭,成為最流行的磁頭技術。
  
    緩存: 緩存是硬盤與外部總線交換數據的場所。硬盤的讀數據的過程是將磁信號轉化為電信號後,通過緩存一次次地填充與清空,再填充,再清空,一步步按照PCI總線的週期送出,可見,緩存的作用是相當重要的。在接口技術已經發展到一個相對成熟的階段的時候,緩存的大小與速度是直接關係到硬盤的傳輸速度的重要因素。目前主流硬盤的緩存主要有512KB和2MB等幾種。其類型一般是EDO DRAM或SDRAM,目前一般以SDRAM為主。根據寫入方式的不同,有寫通式和回寫式兩種。寫通式在讀硬盤數據時,系統先檢查請求指令,看看所要的數據是否在緩存中,如果在的話就由緩存送出響應的數據,這個過程稱為命中。這樣系統就不必訪問硬盤中的數據,由於SDRAM的速度比磁介質快很多,因此也就加快了數據傳輸的速度。回寫式就是在寫入硬盤數據時也在緩存中找,如果找到就由緩存就數據寫入盤中,現在的多數硬盤都是採用的回寫式硬盤,這樣就大大提高了性能。
  
    連續無故障時間(MTBF):指硬盤從開始運行到出現故障的最長時間。一般硬盤的MTBF至少在30000或40000小時。 
  
    部分響應完全匹配技術PRML(Partial Response Maximum Likelihood):能使盤片存儲更多的信息,同時可以有效地提高數據的讀取和數據傳輸率。是當前應用於硬盤數據讀取通道中的先進技術之一。PRML技術是將硬盤數據讀取電路分成兩段「操作流水線」,流水線第一段將磁頭讀取的信號進行數字化處理然後只選取部分「標準」信號移交第二段繼續處理,第二段將所接收的信號與PRML芯片預置信號模型進行對比,然後選取差異最小的信號進行組合後輸出以完成數據的讀取過程。PRML技術可以降低硬盤讀取數據的錯誤率,因此可以進一步提高磁盤數據密集度。
  
    單磁道時間(Single track seek time):指磁頭從一磁道轉移至另一磁道所用的時間。 
  
    超級數字信號處理器(Ultra DSP)技術:用Ultra DSP進行數學運算,其速度較一般CPU快10到50倍。採用Ultra DSP技術,單個的DSP芯片可以同時提供處理器及驅動接口的雙重功能,以減少其它電子元件的使用,可大幅度地提高硬盤的速度和可靠性。接口技術可以極大地提高硬盤的最大外部傳輸率,最大的益處在於可以把數據從硬盤直接傳輸到主內存而不佔用更多的CPU資源,提高系統性能。

TOP

            硬盤表面溫度: 指硬盤工作時產生的溫度使硬盤密封殼溫度上升情況。硬盤工作時產生的溫度過高將影響薄膜式磁頭(包括MR磁頭)的數據讀取靈敏度,因此硬盤工作表面溫度較低的硬盤有更好的數據讀、寫穩定性。
  
    全程訪問時間(Max full seek time):指磁頭開始移動直到最後找到所需要的數據塊所用的全部時間。 
  
    接口技術:口技術可極大地提高硬盤的最大外部數據傳輸率,現在普遍使用的ULTRAATA/66已大幅提高了E-IDE接口的性能,所謂UltraDMA66是指一種由Intel及Quantum公司設計的同步DMA協議。使用該技術的硬盤並配合相應的芯片組,最大傳輸速度可以由16MB/s提高到66MS/s。它的最大優點在於把CPU從大量的數據傳輸中解放出來了,可以把數據從HDD直接傳輸到主存而不佔用更多的CPU資源,從而在一定程度上提高了整個系統的性能。由於採用ULTRAATA技術的硬盤整體性能比普通硬盤可提高20%~60%,所以已成為目前E-IDE硬盤事實上的標準。
  
    SCSI硬盤的接口技術也在迅速發展。Ultra160/mSCSI被引入硬盤世界,對硬盤在高計算量應用領域的性能擴展極有裨益,處理關鍵任務的服務器、圖形工作站、冗余磁盤陣列(RAID)等設備將因此得到性能提升。從技術發展看,Ultra160/mSCSI僅僅是硬盤接口發展道路上的一環而已,200MB的光纖技術也遠未達到止境,未來的接口技術必將令今天的用戶瞠目結舌。
  
光纖通道技術具有數據傳輸速率高、數據傳輸距離遠以及可簡化大型存儲系統設計的優點。目前,光纖通道支持每秒200MB的數據傳輸速率,可以在一個環路上容納多達127個驅動器,局域電纜可在25米範圍內運行,遠程電纜可在10公里範圍內運行。某些專門的存儲應用領域,例如小型存儲區域網絡(SAN)以及數碼視像應用,往往需要高達每秒200MB的數據傳輸速率和強勁的聯網能力,光纖通道技術的推出正適應了這一需求。同時,其超長的數據傳輸距離,大大方便了遠程通信的技術實施。由於光纖通道技術的優越性,支持光纖界面的硬盤產品開始在市場上出現。這些產品一般是大容量硬盤,平均尋道時間短,適應於高速、高數據量的應用需求,將為中高端存儲應用提供良好保證。
  
    IEEE1394:IEEE1394又稱為Firewire(火線)或P1394,它是一種高速串行總線,現有的IEEE1394標準支持100Mbps、200Mbps和400Mbps的傳輸速率,將來會達到800Mbps、1600Mbps、3200Mbps甚至更高,如此高的速率使得它可以作為硬盤、DVD、CD-ROM等大容量存儲設備的接口。IEEE1394將來有望取代現有的SCSI總線和IDE接口,但是由於成本較高和技術上還不夠成熟等原因,目前仍然只有少量使用IEEE1394接口的產品,硬盤就更少了。
  
    硬盤:英文「hard-disk」簡稱HD 。是一種儲存量巨大的設備,作用是儲存計算機運行時需要的數據。計算機的硬盤主要由碟片、磁頭、磁頭臂、磁頭臂服務定位系統和底層電路板、數據保護系統以及接口等組成。 計算機硬盤的技術指標主要圍繞在盤片大小、盤片多少、單碟容量、磁盤轉速、磁頭技術、服務定位系統、接口、二級緩存、噪音和S.M.A.R.T. 等參數上。
  
    碟片:硬盤的所有數據都存儲在碟片上,碟片是由硬質合金組成的盤片,現在還出現了玻璃盤片。目前的硬盤產品內部盤片大小有:5.25,3.5,2.5和1.8英吋(後兩種常用於筆記本及部分袖珍精密儀器中,現在台式機中常用3.5英吋的盤片)。
  
    磁頭:硬盤的磁頭是用線圈纏繞在磁芯上製成的,最初的磁頭是讀寫合一的,通過電流變化去感應信號的幅度。對於大多數計算機來說,在與硬盤交換數據的過程中,讀操作遠遠快於寫操作,而且讀/寫是兩種不同特性的操作,這樣就促使硬盤廠商開發一種讀/寫分離磁頭。在1991年,IBM提出了它基於磁阻(MR)技術的讀磁頭技術--各項異性磁 ,磁頭在和旋轉的碟片相接觸過程中,通過感應碟片上磁場的變化來讀取數據。在硬盤中,碟片的單碟容量和磁頭技術是相互制約、相互促進的。
   AMR(Anisotropic Magneto Resistive,AMR):一種磁頭技術,AMR技術可以支持3.3GB/平方英吋的記錄密度,在1997年AMR是當時市場的主流技術。
   GMR(Giant Magneto Resistive,巨磁阻):比AMR技術磁頭靈敏度高2倍以上,GMR磁頭是由4層導電材料和磁性材料薄膜構成的:一個傳感層、一個非導電中介層、一個磁性的栓層和一個交換層。前3個層控制著磁頭的電阻。在栓層中,磁場強度是固定的,並且磁場方向被相臨的交換層所保持。而且自由層的磁場強度和方向則是隨著轉到磁頭下面的磁盤表面的微小磁化區所改變的,這種磁場強度和方向的變化導致明顯的磁頭電阻變化,在一個固定的信號電壓下面,就可以拾取供硬盤電路處理的信號。
  
    OAW(光學輔助溫式技術):希捷正在開發的OAW是未來磁頭技術發展的方向,OAW技術可以在1英吋寬內寫入105000以上的磁道,單碟容量有望突破36GB。單碟容量的提高不僅可以提高硬盤總容量、降低平均尋道時間,還可以降低成本、提高性能。

TOP

PRML(局部響應最大擬然,Partial Response Maximum Likelihood):除了磁頭技術的日新月異之外,磁記錄技術也是影響硬盤性能非常關鍵的一個因素。當磁記錄密度達到某一程度後,兩個信號之間相互干擾的現象就會非常嚴重。為了解決這一問題,人們在硬盤的設計中加入了PRML技術。PRML讀取通道方式可以簡單地分成兩個部分。首先是將磁頭從盤片上所讀取的信號加以數字化,並將未達到標準的信號加以捨棄,而沒有將信號輸出。這個部分便稱為局部響應。最大擬然部分則是拿數字化後的信號模型與PRML芯片本身的信號模型庫加以對比,找出最接近、失真度最小的信號模型,再將這些信號重新組合而直接輸出數據。使用PRML方式,不需要像脈衝檢測方式那樣高的信號強度,也可以避開因為信號記錄太密集而產生的相互干擾的現象。 磁頭技術的進步,再加上目前記錄材料技術和處理技術的發展,將使硬盤的存儲密度提升到每平方英吋10GB以上,這將意味著可以實現40GB或者更大的硬盤容量。
  
    間隔因子:硬盤磁道上相鄰的兩個邏輯扇區之間的物理扇區的數量。因為硬盤上的信息是以扇區的形式來組織的,每個扇區都有一個號碼,存取操作要通過這個扇區號,所以使用一個特定的間隔因子來給扇區編號而有助於獲取最佳的數據傳輸率。
  著陸區(LZ):為使硬盤有一個起始位置,一般指定一個內層柱面作為著陸區,它使硬盤磁頭在電源關閉之前停回原來的位置。著陸區不用來存儲數據,因些可避免磁頭在開、關電源期間緊急降落時所造成數據的損失。目前,一般的硬盤在電源關閉時會自動將磁頭停在著陸區,而老式的硬盤需執行PARK命令才能將磁頭歸位。
  
    反應時間:指的是硬盤中的轉輪的工作情況。反應時間是硬盤轉速的一個最直接的反應指標。5400RPM的硬盤擁有的是5.55 MS的反應時間,而7200RPM的可以達到4.17 MS。反應時間是硬盤將利用多長的時間完成第一次的轉輪旋轉。如果我們確定一個硬盤達到120周旋轉每秒的速度,那麼旋轉一周的時間將是1/120即0.008333秒的時間。如果我們的硬盤是0.0041665秒每週的速度,我們也可以稱這塊硬盤的反應時間是4.17 ms(1ms=1/1000每秒)。
  
    平均潛伏期(average latency):指當磁頭移動到數據所在的磁道後,然後等待所要的數據塊繼續轉動(半圈或多些、少些)到磁頭下的時間,單位為毫秒(ms)。平均潛伏期是越小越好,潛伏期小代表硬盤的讀取數據的等待時間短,這就等於具有更高的硬盤數據傳輸率。
  
    道至道時間(single track seek):指磁頭從一磁道轉移至另一磁道的時間,單位為毫秒(ms)。
  
    全程訪問時間(max full seek):指磁頭開始移動直到最後找到所需要的數據塊所用的全部時間,單位為毫秒(ms)。
  
    外部數據傳輸率:通稱突發數據傳輸率(burst data transfer rate):指從硬盤緩衝區讀取數據的速率,常以數據接口速率代替,單位為MB/S。目前主流硬盤普通採用的是Ultra ATA/66,它的最大外部數據率即為66.7MB/s,2000年推出的Ultra ATA/100,理論上最大外部數據率為100MB/s,但由於內部數據傳輸率的制約往往達不到這麼高。
  
    主軸轉速:是指硬盤內電機主軸的轉動速度,目前ATA(IDE)硬盤的主軸轉速一般為5400-7200rpm,主流硬盤的轉速為7200RPM,至於SCSI硬盤的主軸轉速可達一般為7200-10,000RPM,而最高轉速的SCSI硬盤轉速高達15,000RPM。
  
    數據緩存:指在硬盤內部的高速存儲器,在電腦中就像一塊緩衝器一樣將一些數據暫時性的保存起來以供讀取和再讀取。目前硬盤的高速緩存一般為512KB-2MB,目前主流ATA硬盤的數據緩存為2MB,而在SCSI硬盤中最高的數據緩存現在已經達到了16MB。對於大數據緩存的硬盤在存取零散文件時具有很大的優勢。

硬盤表面溫度:它是指硬盤工作時產生的溫度使硬盤密封殼溫度上升情況。硬盤工作時產生的溫度過高將影響磁頭的數據讀取靈敏度,因此硬盤工作表面溫度較低的硬盤有更好的數據讀、寫穩定性。
  
    MTBF(連續無故障時間):它指硬盤從開始運行到出現故障的最長時間,單位是小時。一般硬盤的MTBF至少在30000或40000小時。
   S.M.A.R.T.(自監測、分析、報告技術):這是現在硬盤普遍採用的數據安全技術,在硬盤工作的時候監測系統對電機、電路、磁盤、磁頭的狀態進行分析,當有異常發生的時候就會發出警告,有的還會自動降速並備份數據。
  
    DPS(數據保護系統):昆騰在火球八代硬盤中首次內建了DPS,在硬盤的前300MB內存放操作系統等重要信息,DPS可在系統出現問題後的90秒內自動檢測恢復系統數據,若不行則用DPS軟盤啟動後它會自動分析故障,盡量保證數據不丟失。
  
    數據衛士:是西部數據(WD)特有的硬盤數據安全技術,此技術可在硬盤工作的空餘時間裡自動每8個小時自動掃瞄、檢測、修復盤片的各扇區。
  
    MaxSafe:是邁拓在金鑽二代上應用的技術,它的核心是將附加的ECC校驗位保存在硬盤上,使讀寫過程都經過校驗以保證數據的完整性。
  
    DST:驅動器自我檢測技術,是希捷公司在自己硬盤中採用的數據安全技術,此技術可保證保存在硬盤中數據的安全性。
  
    DFT:驅動器健康檢測技術,是IBM公司在自己硬盤中採用的數據安全技術,此技術同以上幾種技術一樣可極大的提高數據的安全性。
  
    噪音與防震技術:硬盤主軸高速旋轉時不可避免的產生噪音,並會因金屬磨擦而產生磨損和發熱問題,「液態軸承馬達」就可以解決這一問題。它使用的是黏膜液油軸承,以油膜代替滾珠,可有效地降低以上問題。同時液油軸承也可有效地吸收震動,使硬盤的抗震能力由一般的一二百個G提高到了一千多G,因此硬盤的壽命與可靠性也可以得到提高。昆騰在火球七代(EX)系列之後的硬盤都應用了SPS震動保護系統;邁拓在金鑽二代上應用了ShockBlock防震保護系統,他們的目的都是分散衝擊能量,盡量避免磁頭和盤片的撞擊;希捷的金牌系列硬盤中SeaShield系統是用減震材料製成的保護軟罩外加磁頭臂與盤片間的防震設計來實現的。
  
    ST-506/412接口:這是希捷開發的一種硬盤接口,首先使用這種接口的硬盤為希捷的ST-506及ST-412。ST-506接口使用起來相當簡便,它不需要任何特殊的電纜及接頭,但是它支持的傳輸速度很低,因此到了1987年左右這種接口就基本上被淘汰了,採用該接口的老硬盤容量多數都低於200MB。早期IBM PC/XT和PC/AT機器使用的硬盤就是ST-506/412硬盤或稱MFM硬盤-MFM(Modified Frequency Modulation)是指一種編碼方案。
  
    ESDI接口:即(Enhanced Small Drive Interface)接口,它是邁拓公司於1983年開發的。其特點是將編解碼器放在硬盤本身之中,而不是在控制卡上,理論傳輸速度是前面所述的ST-506的2…4倍,一般可達到10Mbps。但其成本較高,與後來產生的IDE接口相比無優勢可言,因此在九十年代後就被淘汰了。
  
    IDE及EIDE接口:IDE(Integrated Drive Electronics)的本意實際上是指把控制器與盤體集成在一起的硬盤驅動器,我們常說的IDE接口,也叫ATA(Advanced Technology Attachment)接口,現在PC機使用的硬盤大多數都是IDE兼容的,只需用一根電纜將它們與主板或接口卡連起來就可以了。把盤體與控制器集成在一起的做法減少了硬盤接口的電纜數目與長度,數據傳輸的可靠性得到了增強,硬盤製造起來變得更容易,因為廠商不需要再擔心自己的硬盤是否與其它廠商生產的控制器兼容,對用戶而言,硬盤安裝起來也更為方便。
  
    ATA-1(IDE):ATA是最早的IDE標準的正式名稱,IDE實際上是指連在硬盤接口的硬盤本身。ATA在主板上有一個插口,支持一個主設備和一個從設備,每個設備的最大容量為504MB,ATA最早支持的PIO-0模式(Programmed I/O-0)只有3.3MB/s,而ATA-1一共規定了3種PIO模式和4種DMA模式(沒有得到實際應用),要升級為ATA-2,需要安裝一個EIDE適配卡。
  
    ATA-2 (EIDE Enhanced IDE/Fast ATA):這是對ATA-1的擴展,它增加了2種PIO和2種DMA模式,把最高傳輸率提高到了16.7MB/s,同時引進了LBA地址轉換方式,突破了老BIOS固有504MB的限制,支持最高可達8.1GB的硬盤。如你的電腦支持ATA-2,則可以在CMOS設置中找到(LBA,LogicalBlock Address)或(CHS,Cylinder,Head,Sector)的設置。其兩個插口分別可以連接一個主設備和一個從設置,從而可以支持四個設備,兩個插口也分為主插口和從插口。通常可將最快的硬盤和CD-ROM放置在主插口上,而將次要一些的設備放在從插口上,這種放置方式對於486及早期的Pentium電腦是必要的,這樣可以使主插口連在快速的PCI總線上,而從插口連在較慢的ISA總線上。

TOP

 21 123
發新話題

本站所有圖文均屬網友發表,僅代表作者的觀點與本站無關,如有侵權請通知版主會盡快刪除。