慧榮去年營收創新高 今年估再增2-3成

【鉅亨網記者蔡宗憲 台北】

FLASH控制IC慧榮科技((US-SIMO))今(3)日公佈去年財報，第 4 季營收約6715萬美元，較第 3 季成長 6 %，較2010年同期大幅成長68%，毛利率49.8%，也較第 3 季攀升，稅後淨利1606萬美元，每單位稀釋美國存託憑證盈餘為0.47美元(約合新台幣14元)，也因第 4 季表現強勁，全年營收也創歷史新高，達2.24億美元，年增率69%。

展望今年與第 1 季營運狀況，慧榮總經理苟嘉彰表示，今年第 1 季受季節性因素及上一季模組廠客戶備貨超乎預期的影響，行動儲存營收將較上季減少，而在新LTE Design-win開始進入量產後，LTE收發器營收將獲得成長，可彌補部分行動儲存減少之業績，預估第 1 季營收較第 4 季將下滑5-15%，毛利率為47-49%，營業費用估在1550-1700萬美元間，2012年全年營收與2011年相比將成長20-30%，毛利率48-50%，營業費用估介於6500-7000萬美元間。

苟嘉彰指出，去年慧榮營運表現亮眼，全年營收與第 4 季營收皆創歷史新高，帶動毛利率也同步攀升，主要成長動能來自於行動儲存產品OEM客戶出貨強勁，加上模組廠客戶出貨高於預期，彌補原先預期行動通訊客戶因暫時性出貨調節的影響；而行動儲存來自OEM客戶營收較第 3 季成長35%，佔控制晶片營收的一半，主要是因NAND Flash大廠及一線消費性電子OEM客戶為年底銷售旺季增加備貨。

此外，來自模組廠客戶營收也季增10%，NAND Flash市況有利模組廠生產銷售所需的記憶卡、隨身碟等產品；平均售價方面，苟嘉彰指出，ASP較季增了 6 %，較2010年同期成長13%，顯示慧榮針對高階控制晶片的研發投資已開始獲得回收，目前慧榮超過65%控制晶片營收來自支援2x奈米Flash產品，其中包含支援最新19奈米及21奈米Flash的控制晶片。

在行動通訊方面，苟嘉章表示，如先前預期，第 4 季營收會因LTE出貨減緩而下滑，第 3 季由於三星加速產品佈建，慧榮LTE收發器營收大幅成長，第 4 季開始回歸正常成長率，去年第 4 季開始，採用慧榮LTE及CDMA EV-DO收發器的三星Galaxy Nexus已開始出貨給美國電信業者Verizon，該產品是Verizon Wireless最暢銷的機款之一，目前確定已拿到超過 5 個Design-win，這些產品預計今年上半年會進入量產，預期三星下一代LTE手機及平板電腦在品質上將持續受到市場肯定，且更加熱賣，帶動慧榮LTE表現。

苟嘉彰指出，慧榮在2011年全球經濟局勢充滿挑戰時仍締造歷史性佳績，營收大幅成長近 7 成，記憶卡控制晶片也締造了另一波的成長，而LTE收發器及eMMC控制晶片等新產品同時快速成長挹注營收，成為未來成長的重要驅力，預計今年度將可貢獻25%的營收，明年可能更多。